Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów

Zadanie 1.3 (Tydzień 5) Obwód RD

Wprowadzić za pomocą programu Multisim do schematu obwód pokazany na rysunku 1.3.1.

a)  ANALIZA DC: Wykreślić napięcie Vout w funkcji napięcia Vin zmieniającego się w zakresie -5 V do 5 V z

krokiem 0,05 V. Wyjaśnić sposób dzialania obwodu i znaczenie poszczególnych elementów w ksztaltowaniu

charakterystyki Vout(Vin). Sprawozdanie: 1) zamieścić odpowiedni wykres, 2) wymienić zalety i ograniczenia

w stosowaniu obwodu. UWAGA: dla D3 i D4 należy użyć diod Zenera serii BZX84 (podserie A/B/C

odpowiednio 1%, 2%, 5% tolerancji wykonania): BZX84-A3V3.

b) PROJEKT I: Wykonać obwód ksztaltujący napięcie wyjściowe zgodnie z rysunkiem 1.3.2 z dokladnością ±5%.

Uwaga: Użyć elementów zgodnych z typoszeregiem E6 (elementy o modelach dostępnych w bibliotekach lub

modyfikowane za pomocą odpowiednich parametrów), czyli: 1,0, 1,5, 2,2, 3,3, 4,7, 6,8. Sprawozdanie: 1)

zamieścić odpowiedni wykres, 2) wymienić zalety i ograniczenia w stosowaniu obwodu. PODPOWIEDŹ: patrz

dodatek ,,Typoszeregi E".

c)  PROJEKT II: wykonać "przetwornik": przebieg trójkątny - aproksymowany sinus (należy użyć analizy

wielkosygnalowej .TRAN oraz wymuszenia w postaci przebiegu trójkątnego np. PULSE). Sprawozdanie: 1)

zamieścić odpowiedni wykres, 2) wymienić zalety i ograniczenia w stosowaniu obwodu. UWAGA: W celu

wykonania zadania należy użyć diod Zenera serii BZX84 (podserie A/B/C odpowiednio 1%, 2%, 5% tolerancji

wykonania).

d) PROJEKT III: wykonać "przetwornik": przebieg trójkątny - aproksymowany sinus (należy użyć analizy

wielkosygnalowej .TRAN oraz wymuszenia w postaci przebiegu trójkątnego np. PULSE). Sprawozdanie: 1)

zamieścić odpowiedni wykres, 2) wymienić zalety i ograniczenia w stosowaniu obwodu. UWAGA: W celu

wykonania zadania należy samodzielnie zmodyfikować model diody 1N4148 (lub zbudować wlasny model w

oparciu o domyślne parametry diody pólprzewodnikowej), aby pelnil on funkcję stabilistora o wymaganych

parametrach napięcia przebicia. PODPOWIEDŹ: patrz w opisie programu Multisim ­ część poświęcona edycji

parametrów modeli elementów. Alternatywnie można wykorzystać element wbudowany z biblioteki Multisim o

nazwie DIODE[DIODES_VIRTUAL] lub DIODE_RATED (o możliwości definicji napięcia wstecznego

breakdown). UWAGA: aby zmieniać parametry modelu należy najpierw we wlaściwościach diody, w oknie

,,value" wejść w ,,Edit model".

Rysunek 1.3.1

Rysunek 1.3.2

Strona 33 z 94