img
Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów
F1 2 1 V3 8.0
c)
CCCS ­ źródlo prądu
sterowane prądem F
6)  dioda
* Anoda katoda
D
D5 23 56 MOD12
7)
Tranzystor bipolarny
*CBE
Q
Q5 32 21 43 BC107
8)
Tranzystor JFET
*DGS
J
J5 32 21 43 MODJF1
9)
Tranzystor MOS
* D G S Sub.
M
M5 32 21 43 55 MOS55
10) Makromodel
(.SUBCKT/.ENDS)
* IN OUT VDD GND
X5 55 21 43 0 INWERTER
X
Kolejność umieszczania węzlów przy opisywaniu przyrządów pólprzewodnikowych jest następująca:
Dioda: anoda - katoda
Tranzystor bipolarny: kolektor ­ baza ­ emiter (podloże)
Tranzystor JFET: dren ­ bramka ­ źródlo
Tranzystor MOS: dren ­ bramka ­ źródlo ­ podloże
W przypadku źródel sterowanych dwie pierwsze cyfry oznaczają numery węzlów, do których przylożone
jest źródlo. Dla źródla sterowanego napięciowo następne dwie cyfry podają numery węzlów, do których
przylożone jest napięcie sterujące. Dla źródla sterowanego prądowo należy podać nazwę źródla
napięciowego, którego prąd jest prądem sterującym.
Wpisywanie dodatkowych parametrów elementów
Dane elementów mogą być uzupelnione przez podanie dodatkowych informacji za pomocą
wspólczynników.
a)
Rezystancja może być zależna od temperatury przez podanie wartości wspólczynników TC1 i TC2
2
R(T)=R(Tnom) [ 1 + TC1(T) + TC2(T) ]
gdzie: T= T - Tnom
Strona 50 z 61