Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Lódzkiej; Komputerowe projektowanie ukladów

2.3.2.

Analiza ukladu zawierającego tranzystor MOS-FET.

Na rysunku 2.3.2.1 przedstawiono uklad elektroniczny zawierający tranzystor MOSFET. Wykonaj

następujące symulacje.

a)

ANALIZA DC: Wykreślić na wspólnym rysunku charakterystyki przejściowe trzech tranzystorów MOS

(napięcie V(3) w funkcji napięcia VIN). Napięcie VIN zmienia się od 5,0V do 5,0V z krokiem 0,2V.

b) ANALIZA TR: Wykonać analizę TR od 0 do 1,0E-6s z krokiem 0,02E-6s przy sygnale wejściowym z

rysunku 2.2.3. Wykreślić krzywe na wspólnym rysunku.

c)  ANALIZA AC: Wykonać analizę AC od 100Hz do 1000MegHz w skali logarytmicznej z 101 punktami

na dekadę.

d) PROJEKT: W oparciu o uklad polączeń z rysunku 2.3.2.1 obliczyć, a następnie zweryfikować

poprawność obliczeń odpowiednimi symulacjami w programie Spice, wzmacniacz o punkcie pracy i

wzmocnieniu napięciowym ustalonym z prowadzącym zajęcia.

Uwaga:

Analiza a) i b) powinna być wykonana przy pomocy jednego programu, a krzywe powinny być porównane i

skomentowane na wspólnym rysunku.

Analiza c) powinny być wykonana przy pomocy jednego programu dla wszystkich modeli tranzystorów, a

krzywe powinny być porównane i skomentowane na jednym rysunku.

Rysunek 2.3.2.1

Zadanie 2.4 (Tydzień 7, opcja 4) Tranzystor bipolarny

2.4.1.

Narysować i porównać charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w ukladzie polączeń pokazanym

na rysunku 2.4.1.1 dla trzech różnych wartości parametrów modelu:

a)

model BUX48

.MODEL BUX48 NPN

+ IS=1.7E-10 BF=40 VAF=800 IKF=2.5 ISE=10U NE=4 BR=2

+ ISC=10U NC=4 RB=0.7 RE=0.02 RC=0.12

+ CJE=715P VJE=1.89 MJE=0.586 TF=0.17NS

+ CJC=189P VJC=0.986 MJC=0.428 TR=1100NS

+ CJS=125P EG=1.11 XTI=3.0 KF=0

+ AF=1 FC=0.5

Strona 14 z 61